Компания Samsung сообщила о начале испытания первых модулей памяти объемом 16 Гигабайт стандарта DDR4.
Новые планки памяти используют технологию процесса на 30 нм, что дает возможность обеспечивать высочайшую производительность с большой нагрузкой, которая обычно бывает на высокопроизводительных корпоративных серверах.
В Samsung отмечают, что технология DDR4 обеспечивает в два раза бóльшую скорость, по сравнению с 1600 Мб/с типа DDR3 и использует питание всего 1,2 Вольта, в отличии от 1,35 Вольтами в модулях оперативной памяти стандарта DDR3.
Компания Samsung планирует массовое производство и выпуск модулей оперативной памяти стандарта DDR4 в следующем году, а также работает над тем, чтобы выпустить на рынок модели с использованием технолгии с 20 нм стандарта DDR4.
источник: SammyHub
В Samsung отмечают, что технология DDR4 обеспечивает в два раза бóльшую скорость, по сравнению с 1600 Мб/с типа DDR3 и использует питание всего 1,2 Вольта, в отличии от 1,35 Вольтами в модулях оперативной памяти стандарта DDR3.
Компания Samsung планирует массовое производство и выпуск модулей оперативной памяти стандарта DDR4 в следующем году, а также работает над тем, чтобы выпустить на рынок модели с использованием технолгии с 20 нм стандарта DDR4.
источник: SammyHub
Комментариев нет:
Отправить комментарий